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首页> Nano letters> Increased Mobility and Reduced Hysteresis of MoS<sub>2</sub> Field-Effect Transistors via Direct Surface Precipitation of CsPbBr<sub>3</sub>-Nanoclusters for Charge Transfer Doping.

Increased Mobility and Reduced Hysteresis of MoS<sub>2</sub> Field-Effect Transistors via Direct Surface Precipitation of CsPbBr<sub>3</sub>-Nanoclusters for Charge Transfer Doping.

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第一作者： Yae Zy,Kang
第一单位： Department of Physics, Research Institute for Nanoscale Science and Technology, Chungbuk National University, 1, Chungdae-ro, Seowon-gu, Cheongju, Chungcheongbuk-do 28644, Republic of Korea.
作者： Yae Zy,Kang [1] ; Gwang Hwi,An [1] ; Min-Gi,Jeon [2] ; So Jeong,Shin [1] ; Su Jin,Kim [1] ; Min,Choi [1] ; Jae Baek,Lee [1] ; Tae Yeon,Kim [1] ; Ikhwan Nur,Rahman [1] ; Hyun Young,Seo [3] ; Seyoung,Oh [3] ; Byungjin,Cho [3] ; Jihoon,Choi [2] ; Hyun Seok,Lee [1]
作者单位： Department of Physics, Research Institute for Nanoscale Science and Technology, Chungbuk National University, 1, Chungdae-ro, Seowon-gu, Cheongju, Chungcheongbuk-do 28644, Republic of Korea. [1] Department of Materials Science and Engineering, Chungnam National University, 99 Daehak-ro, Yuseong-gu, Daejeon 34134, Republic of Korea. [2] Department of Advanced Material Engineering, Chungbuk National University, 1, Chungdae-ro, Seowon-gu, Cheongju, Chungcheongbuk-do 28644, Republic of Korea. [3]
关键词 dopingfield-effect transistorshysteresismetal-halide perovskitesmobilitytwo-dimensional semiconductors
DOI 10.1021/acs.nanolett.3c02293
PMID 37722002
发布时间 2026-03-10
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Nano letters

Nano letters

2023年23卷19期

8914-8922页

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