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首页> Nano letters> Photothermally Activated Artificial Neuromorphic Synapses.

Photothermally Activated Artificial Neuromorphic Synapses.

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第一作者： Brian W,Blankenship
第一单位： Laser Thermal Laboratory, Department of Mechanical Engineering, University of California, Berkeley, California 94720, United States.
作者： Brian W,Blankenship [1] ; Runxuan,Li [1] ; Ruihan,Guo [2] ; Naichen,Zhao [1] ; Jaeho,Shin [3] ; Rundi,Yang [1] ; Seung Hwan,Ko [3] ; Junqiao,Wu [2] ; Yoonsoo,Rho [4] ; Costas,Grigoropoulos [1]
作者单位： Laser Thermal Laboratory, Department of Mechanical Engineering, University of California, Berkeley, California 94720, United States. [1] Department of Materials Science and Engineering, University of California, Berkeley, California 94720, United States. [2] Applied Nano and Thermal Science Lab, Department of Mechanical Engineering, Seoul National University, 1 Gwanak-ro, Gwanak-gu, Seoul 08826, South Korea. [3] Laser Thermal Laboratory, Department of Mechanical Engineering, University of California, Berkeley, California 94720, United States.;Physical & Life Sciences and NIF & Photon Sciences, Lawrence Livermore National Laboratory, Livermore, California 94550, United States. [4]
关键词 artificial neural networksneuromorphic devicesphotothermal electronicsvanadium dioxide
DOI 10.1021/acs.nanolett.3c02681
PMID 37724920
发布时间 2023-10-11
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Nano letters

Nano letters

2023年23卷19期

9020-9025页

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