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    首页> Materials (Basel, Switzerland)> Ferroelectric Resistance Switching in Epitaxial BiFeO<sub>3</sub>/La<sub>0.7</sub>Sr<sub>0.3</sub>MnO<sub>3</sub> Heterostructures.

    Ferroelectric Resistance Switching in Epitaxial BiFeO<sub>3</sub>/La<sub>0.7</sub>Sr<sub>0.3</sub>MnO<sub>3</sub> Heterostructures.

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    作者： Hongyan,Qi [1] ; Weixin,Wu [1] ; Xinqi,Chen [1]
    作者单位： Expert Workstation for Terahertz Technology and Advanced Energy Materials and Devices, School of Physics and Mechanical &amp; Electronical Engineering, Hubei University of Education, Wuhan 430205, China. [1]
    关键词 Schottky barrierferroelectric polarizationinterfaceresistance switching
    DOI 10.3390/ma16227198
    PMID 38005127
    发布时间 2023-11-27
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    Materials (Basel, Switzerland)

    Materials (Basel, Switzerland)

    2023年16卷22期

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