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Strain-induced effects on the optoelectronic properties of ZrSe<sub>2</sub>/HfSe<sub>2</sub> heterostructures.

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作者： Xingbin,Wei ^[1] ; Lu,Yang ^[2] ; Shihang,Sun ^[1] ; Yanshen,Zhao ^[1] ; Huaidong,Liu ^[1]

作者单位： School of Architecture and Civil Engineering, Shenyang University of Technology, Shenyang, 110870, China. ^[1] School of Architecture and Civil Engineering, Shenyang University of Technology, Shenyang, 110870, China. yanglu515@163.com. ^[2]

关键词 Electronic structure Optical properties Strain ZrSe2/HfSe2 heterojunction

DOI 10.1007/s00894-023-05793-0

PMID 38082191

发布时间 2024-01-10

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Journal of molecular modeling

Journal of molecular modeling

2023年30卷1期

3页

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