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首页> ACS applied materials & interfaces> Enhanced Performance and High Resistance to Efficiency Degradation of Blue Quantum-Dot Light-Emitting Diodes Using the Lewis Base Blended Hole-Transporting Layers.

Enhanced Performance and High Resistance to Efficiency Degradation of Blue Quantum-Dot Light-Emitting Diodes Using the Lewis Base Blended Hole-Transporting Layers.

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第一作者： Yuyu,Liu
第一单位： School of Semiconductor Science and Technology, South China Normal University, Guangzhou 510631, P. R. China.
作者： Yuyu,Liu [1] ; Minming,Yan [2] ; Jia,Shu [1] ; Hongwei,He [1] ; Zi,Wang [1] ; Ziyu,Qin [1] ; Yunwei,Wang [1] ; Yong,Zhang [3]
作者单位： School of Semiconductor Science and Technology, South China Normal University, Guangzhou 510631, P. R. China. [1] School of Advanced Materials, Peking University Shenzhen Graduate School, Shenzhen 518055, P. R. China. [2] School of Semiconductor Science and Technology, South China Normal University, Guangzhou 510631, P. R. China.;Guangdong Engineering Technology Research Center of Low Carbon and Advanced Energy Materials, Guangzhou 510631, P. R. China. [3]
关键词 Lewis base DPPEblue quantum dotsefficiency roll-offhole-transporting layerslight-emitting diodes
DOI 10.1021/acsami.3c17141
PMID 38129975
发布时间 2024-01-11
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ACS applied materials & interfaces

ACS applied materials & interfaces

2024年16卷1期

1251-1258页

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