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首页> Materials (Basel, Switzerland)> Growth of Ga<sub>0.70</sub>In<sub>0.30</sub>N/GaN Quantum-Wells on a ScAlMgO<sub>4</sub> (0001) Substrate with an <i>Ex</i>-<i>Situ</i> Sputtered-AlN Buffer Layer.

Growth of Ga<sub>0.70</sub>In<sub>0.30</sub>N/GaN Quantum-Wells on a ScAlMgO<sub>4</sub> (0001) Substrate with an <i>Ex</i>-<i>Situ</i> Sputtered-AlN Buffer Layer.

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作者： Dong-Guang,Zheng ^[1] ; Sangjin,Min ^[2] ; Jiwon,Kim ^[2] ; Dong-Pyo,Han ^[3]

作者单位： Department of Electronic and Communication, Hangzhou Dianzi University Information Engineering College, Hangzhou 311305, China. ^[1] Department of Photonics and Nanoelectronics, Hanyang University, Ansan 15588, Gyeonggi, Republic of Korea. ^[2] Department of Display & Semiconductor Engineering, School of Electrical Engineering, Pukyoung National University, Busan 48513, Republic of Korea. ^[3]

关键词 ScAlMgO4 (0001) substrate metalorganic vapor phase epitaxy mixed-type dislocation quantum wells screw-type dislocation sputtered-AlN buffer layer

DOI 10.3390/ma17010167

PMID 38204021

发布时间 2024-01-12

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Materials (Basel, Switzerland)

Materials (Basel, Switzerland)

2023年17卷1期

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