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Content-Addressable Memories and Transformable Logic Circuits Based on Ferroelectric Reconfigurable Transistors for In-Memory Computing.

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第一作者： Zijing,Zhao

第一单位： Department of Electrical and Computer Engineering, University of Illinois at Urbana-Champaign, Urbana, Illinois 61801, United States.

作者： Zijing,Zhao ^[1] ; Junzhe,Kang ^[1] ; Ashwin,Tunga ^[1] ; Hojoon,Ryu ^[1] ; Ankit,Shukla ^[1] ; Shaloo,Rakheja ^[1] ; Wenjuan,Zhu ^[1]

作者单位： Department of Electrical and Computer Engineering, University of Illinois at Urbana-Champaign, Urbana, Illinois 61801, United States. ^[1]

关键词 2D material content-addressable memory ferroelectric configurable transistor in-memory computing reconfigurable logic gate

DOI 10.1021/acsnano.3c03900

PMID 38232763

发布时间 2024-01-30

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2024年18卷4期

2763-2771页

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