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首页> Micron (Oxford, England : 1993)> Measuring electrical properties in semiconductor devices by pixelated STEM and off-axis electron holography (or convergent beams vs. plane waves).

Measuring electrical properties in semiconductor devices by pixelated STEM and off-axis electron holography (or convergent beams vs. plane waves).

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第一作者： David,Cooper
第一单位： Universite Grenoble Alpes, CEA, LETI, F-38000 Grenoble, France. Electronic address: daveycooper@gmail.com.
作者： David,Cooper [1] ; Lucas,Bruas [2] ; Matthew,Bryan [2] ; Victor,Boureau [3]
作者单位： Universite Grenoble Alpes, CEA, LETI, F-38000 Grenoble, France. Electronic address: daveycooper@gmail.com. [1] Universite Grenoble Alpes, CEA, LETI, F-38000 Grenoble, France. [2] Universite Grenoble Alpes, CEA, LETI, F-38000 Grenoble, France; Interdisciplinary Center for Electron Microscopy, EPFL, 1015 Lausanne, Switzerland. [3]
关键词 4D STEMDifferential phase contrastElectric fieldElectron holographySemiconductors
DOI 10.1016/j.micron.2024.103594
PMID 38340549
发布时间 2024-03-03
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Micron (Oxford, England : 1993)

Micron (Oxford, England

2024年179卷

103594页

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