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首页> ACS nano> Mechanism for Electrostatically Generated Magnetoresistance in Chiral Systems without Spin-Dependent Transport.

Mechanism for Electrostatically Generated Magnetoresistance in Chiral Systems without Spin-Dependent Transport.

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第一作者： Sytze H,Tirion
第一单位： Zernike Institute for Advanced Materials, University of Groningen, NL-9747AG Groningen, The Netherlands.
作者： Sytze H,Tirion [1] ; Bart J,van Wees [1]
作者单位： Zernike Institute for Advanced Materials, University of Groningen, NL-9747AG Groningen, The Netherlands. [1]
关键词 chiral systemchirality-induced spin selectivityequilibrium electrostatic potentiallinear responsemagnetoresistancespin transportspin valve effect
DOI 10.1021/acsnano.3c12925
PMID 38353652
发布时间 2024-03-03
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ACS nano

ACS nano

2024年18卷8期

6028-6037页

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