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首页> Nanomaterials (Basel, Switzerland)> Temperature-Dependent Feedback Operations of Triple-Gate Field-Effect Transistors.

Temperature-Dependent Feedback Operations of Triple-Gate Field-Effect Transistors.

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第一作者： Taeho,Park
第一单位： Department of Electrical Engineering, Korea University, 145 Anam-ro, Seongbuk-gu, Seoul 02841, Republic of Korea.
作者： Taeho,Park [1] ; Kyoungah,Cho [1] ; Sangsig,Kim [1]
作者单位： Department of Electrical Engineering, Korea University, 145 Anam-ro, Seongbuk-gu, Seoul 02841, Republic of Korea. [1]
关键词 TCAD simulationfeedback field-effect transistor (FBFET)latch-up phenomenonpositive feedback looptemperature-dependent
DOI 10.3390/nano14060493
PMID 38535641
发布时间 2024-03-30
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