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Optimizing Ultrathin 2D Transistors for Monolithic 3D Integration: A Study on Directly Grown Nanocrystalline Interconnects and Buried Contacts.

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第一作者： Junseong,Bae

第一单位： Department of Electronic Engineering, Kyung Hee University, Yongin, 17104, Republic of Korea.

作者： Junseong,Bae ^[1] ; Hyeyoon,Ryu ^[1] ; Dohee,Kim ^[1] ; Chang-Seok,Lee ^[2] ; Minsu,Seol ^[2] ; Kyung-Eun,Byun ^[2] ; Sangwon,Kim ^[2] ; Seunghyun,Lee ^[1]

作者单位： Department of Electronic Engineering, Kyung Hee University, Yongin, 17104, Republic of Korea. ^[1] Device Research Center, Samsung Advanced Institute of Technology, Suwon, 18448, Republic of Korea. ^[2]

关键词 contact resistance layered crystals monolithic 3D ultrathin channel

DOI 10.1002/adma.202314164

PMID 38608715

发布时间 2024-06-26

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Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)

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2024年36卷26期

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