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首页> Materials (Basel, Switzerland)> Three-Dimensional Epitaxy of Low-Defect 3C-SiC on a Geometrically Modified Silicon Substrate.

Three-Dimensional Epitaxy of Low-Defect 3C-SiC on a Geometrically Modified Silicon Substrate.

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第一作者： Gerard,Colston
第一单位： School of Engineering, The University of Warwick, Coventry CV4 7AL, UK.
作者： Gerard,Colston [1] ; Kelly,Turner [1] ; Arne,Renz [1] ; Kushani,Perera [1] ; Peter M,Gammon [1] ; Marina,Antoniou [1] ; Vishal A,Shah [1]
作者单位： School of Engineering, The University of Warwick, Coventry CV4 7AL, UK. [1]
关键词 3C-SiCcompliant substrateconformal epitaxyepitaxystacking faults
DOI 10.3390/ma17071587
PMID 38612100
发布时间 2024-04-15
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Materials (Basel, Switzerland)

Materials (Basel, Switzerland)

2024年17卷7期

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