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Advanced Modeling and Simulation of Multilayer Spin-Transfer Torque Magnetoresistive Random Access Memory with Interface Exchange Coupling.

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第一作者： Mario,Bendra

第一单位： Christian Doppler Laboratory for Nonvolatile Magnetoresistive Memory and Logic at the Institute for Microelectronics, TU Wien, Gußhausstraße 27-29/E360, 1040 Vienna, Austria.;Institute for Microelectronics, TU Wien, Gußhausstraße 27-29/E360, 1040 Vienna, Austria.

作者： Mario,Bendra ^[1] ; Roberto Lacerda de,Orio ^[2] ; Siegfried,Selberherr ^[2] ; Wolfgang,Goes ^[3] ; Viktor,Sverdlov ^[1]

作者单位： Christian Doppler Laboratory for Nonvolatile Magnetoresistive Memory and Logic at the Institute for Microelectronics, TU Wien, Gußhausstraße 27-29/E360, 1040 Vienna, Austria.;Institute for Microelectronics, TU Wien, Gußhausstraße 27-29/E360, 1040 Vienna, Austria. ^[1] Institute for Microelectronics, TU Wien, Gußhausstraße 27-29/E360, 1040 Vienna, Austria. ^[2] Silvaco Europe Ltd., Compass Point, St Ives, Cambridge PE27 5JL, UK. ^[3]

关键词 MRAM back-hopping interlayer exchange coupling micromagnetics spintronic devices spin–transfer torques synthetic antiferromagnetic

DOI 10.3390/mi15050568

PMID 38793141

发布时间 2024-05-27

基金项目

TU Wien Bibliothek/ 1558669/Christian Doppler Research Association

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