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Formation of Black Silicon in a Process of Plasma Etching with Passivation in a SF6/O2 Gas Mixture.

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作者： Andrey,Miakonkikh ^[1] ; Vitaly,Kuzmenko ^[1]

作者单位： Valiev Institute of Physics and Technology of RAS, Nakhimovsky av. 34, 117218 Moscow, Russia. ^[1]

关键词 anisotropic etching black silicon light absorbance passivation plasma etching plasma oxidation reactive ion etching reflectivity

DOI 10.3390/nano14110945

PMID 38869570

发布时间 2024-06-15

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Nanomaterials (Basel, Switzerland)

2024年14卷11期

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