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    首页> Nano letters> Enhanced Electromechanical Response Due to Inhomogeneous Strain in Monolayer MoS<sub>2</sub>.

    Enhanced Electromechanical Response Due to Inhomogeneous Strain in Monolayer MoS<sub>2</sub>.

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    作者： Claire M,Ganski [1] ; Alex C,De Palma [1] ; Edward T,Yu [1]
    作者单位： Materials Science and Engineering Program, Texas Materials Institute, The University of Texas at Austin, Austin, Texas 78712, United States. [1] Microelectronics Research Center, Chandra Department of Electrical and Computer Engineering, The University of Texas at Austin, Austin, Texas 78758, United States. [2]
    关键词 MoS2electromechanical couplingflexoelectricityinhomogeneous strainpiezoresponse force microscopytransition metal dichalcogenides
    DOI 10.1021/acs.nanolett.4c01126
    PMID 38899791
    发布时间 2024-07-03
    提交
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    Nano letters

    Nano letters

    2024年24卷26期

    7903-7910页

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