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首页> ACS nano> Interface States in Gate Stack of Carbon Nanotube Array Transistors.

Interface States in Gate Stack of Carbon Nanotube Array Transistors.

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第一作者： Yifan,Liu
第一单位： Key Laboratory for the Physics and Chemistry of Nanodevices and Center for Carbon-based Electronics, School of Electronics, Peking University, Beijing 100871, China.
作者： Yifan,Liu [1] ; Sujuan,Ding [2] ; Weili,Li [3] ; Zirui,Zhang [1] ; Zipeng,Pan [1] ; Yumeng,Ze [1] ; Bing,Gao [2] ; Yanning,Zhang [3] ; Chuanhong,Jin [2] ; Lian-Mao,Peng [1] ; Zhiyong,Zhang [1]
作者单位： Key Laboratory for the Physics and Chemistry of Nanodevices and Center for Carbon-based Electronics, School of Electronics, Peking University, Beijing 100871, China. [1] State Key Laboratory of Silicon and Advanced Semiconductor Materials, School of Materials Science and Engineering, Zhejiang University, Hangzhou 310027, China. [2] Institute of Fundamental and Frontier Sciences, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China. [3]
关键词 aligned carbon nanotube arraygate efficiencyhigh-performance MOSFETshigh-κ gate stackinterface statesoxygen-enhanced ALD process
DOI 10.1021/acsnano.4c03989
PMID 38975932
发布时间 2024-07-23
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ACS nano

ACS nano

2024年18卷29期

19086-19098页

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