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首页> ACS nano> Ternary Content-Addressable Memory Based on a Single Two-Dimensional Transistor for Memory-Augmented Learning.

Ternary Content-Addressable Memory Based on a Single Two-Dimensional Transistor for Memory-Augmented Learning.

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第一作者： Jun,Cai
第一单位： Elmore Family School of Electrical and Computer Engineering, Purdue University, West Lafayette, Indiana 47907, United States.;Birck Nanotechnology Center, Purdue University, West Lafayette, Indiana 47907, United States.
作者： Jun,Cai [1] ; Peng,Wu [2] ; Rahul,Tripathi [1] ; Jing,Kong [2] ; Zhihong,Chen [1] ; Joerg,Appenzeller [1]
作者单位： Elmore Family School of Electrical and Computer Engineering, Purdue University, West Lafayette, Indiana 47907, United States.;Birck Nanotechnology Center, Purdue University, West Lafayette, Indiana 47907, United States. [1] Research Laboratory of Electronics, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, Massachusetts 02139, United States.;Department of Electrical Engineering and Computer Science, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, Massachusetts 02139, United States. [2]
关键词 Ternary content-addressable memoryfew-shot learningfloating-gate transistorin-memory computingtwo-dimensional materials
DOI 10.1021/acsnano.4c07024
PMID 39137093
发布时间 2024-08-27
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ACS nano

ACS nano

2024年18卷34期

23489-23496页

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