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首页> Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)> Thresholding Computing with Heterogeneous Integration of Memristive Kernel with Metal-Oxide-Semiconductor Capacitor for Temporal Data Analysis.

Thresholding Computing with Heterogeneous Integration of Memristive Kernel with Metal-Oxide-Semiconductor Capacitor for Temporal Data Analysis.

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第一作者： Sung Keun,Shim
第一单位： Department of Materials Science and Engineering and Inter-university Semiconductor Research Center, College of Engineering, Seoul National University, Seoul, 08826, Republic of Korea.
作者： Sung Keun,Shim [1] ; Keonuk,Lee [1] ; Janguk,Han [1] ; Dong Hoon,Shin [1] ; Soo Hyung,Lee [1] ; Sunwoo,Cheong [1] ; Yoon Ho,Jang [1] ; Cheol Seong,Hwang [1]
作者单位： Department of Materials Science and Engineering and Inter-university Semiconductor Research Center, College of Engineering, Seoul National University, Seoul, 08826, Republic of Korea. [1]
关键词 analog memristorevent detectionheterogenous integrationneuromorphic hardware kernelthresholding computing
DOI 10.1002/adma.202410432
PMID 39350463
发布时间 2024-12-12
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  • 浏览1
Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)

Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)

2024年36卷50期

e2410432页

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