Effect of SiCN thin film interlayer for ZnO-based RRAM.

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作者： Woon-San,Ko ^[1] ; Myeong-Ho,Song ^[2] ; Jun-Ho,Byun ^[1] ; Do-Yeon,Lee ^[1] ; So-Yeon,Kwon ^[1] ; Jong-Sin,Hyun ^[3] ; Dong-Hyeuk,Choi ^[3] ; Ga-Won,Lee ^[1]

作者单位： Department of Electronics Engineering, Chungnam National Univ, Daehak-ro, Yuseong-gu, Daejeon 305-764, Republic of Korea. ^[1] Department of Electronics Engineering, Chungnam National Univ, Daehak-ro, Yuseong-gu, Daejeon 305-764, Republic of Korea.;National Nano Fab Center Korea, 291, Daehak-ro, Yuseong-gu, Daejeon 34141, Republic of Korea. ^[2] ISTE Co. Ltd, 306, Toseong-ro, Hyangnam-eup, Hwaseong 18589, Republic of Korea. ^[3]

关键词 4MS PECVD RRAM SiCN XPS XRD ZnO

DOI 10.1088/1361-6528/ad83d9

PMID 39374626

发布时间 2024-11-20

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2024年36卷6期

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