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    首页> Optics express> Observations of two-dimensional electron gases in AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors using up-converted photoluminescence excitation.

    Observations of two-dimensional electron gases in AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors using up-converted photoluminescence excitation.

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    作者： Yu-Ting,Chen ; Lu-Hsun,Chen ; Chii-Bin,Wu ; Sheng Hsiung,Chang ; Chi-Tsu,Yuan ; Wen-Yu,Wen ; Ching-Hsueh,Chiu ; Hertz,Hsu ; Wei Jen,Hsueh ; Yueh-Jian,Lee ; Ji-Lin,Shen
    DOI 10.1364/OE.533392
    PMID 39573334
    发布时间 2024-11-22
    提交
    • 浏览0
    Optics express

    Optics express

    2024年32卷18期

    32210-32217页

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