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首页> ACS applied materials & interfaces> Exploring Moiré Superlattices and Memristive Switching in Non-van der Waals Twisted Bilayer Bi<sub>2</sub>O<sub>2</sub>Se.

Exploring Moiré Superlattices and Memristive Switching in Non-van der Waals Twisted Bilayer Bi<sub>2</sub>O<sub>2</sub>Se.

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第一作者： Subhankar,Debnath
第一单位： Department of Physics, Indian Institute of Technology Guwahati, Guwahati 781039, India.
作者： Subhankar,Debnath [1] ; Sourav,Dey [2] ; P K,Giri [3]
作者单位： Department of Physics, Indian Institute of Technology Guwahati, Guwahati 781039, India. [1] Centre for Nanotechnology, Indian Institute of Technology Guwahati, Guwahati 781039, India. [2] Department of Physics, Indian Institute of Technology Guwahati, Guwahati 781039, India.;Centre for Nanotechnology, Indian Institute of Technology Guwahati, Guwahati 781039, India. [3]
关键词 2D Bi2O2Se nanosheetsDefect engineeringMoiré superlatticesNegative differential resistancememristor
DOI 10.1021/acsami.4c23080
PMID 39844426
发布时间 2025-02-06
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ACS applied materials & interfaces

ACS applied materials & interfaces

2025年17卷5期

8219-8230页

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