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首页> Small (Weinheim an der Bergstrasse, Germany)> 2C-Ternary Content Addressable Memory in Memcapacitor Crossbar Array with NAND Flash Structure.

2C-Ternary Content Addressable Memory in Memcapacitor Crossbar Array with NAND Flash Structure.

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第一作者： Hwiho,Hwang
第一单位： Division of Materials Science and Engineering and Department of Semiconductor Engineering, Hanyang University, Seoul, 04763, South Korea.
作者： Hwiho,Hwang [1] ; Junsu,Yu [2] ; Sangwook,Youn [1] ; Woo Young,Choi [2] ; Hyungjin,Kim [1]
作者单位： Division of Materials Science and Engineering and Department of Semiconductor Engineering, Hanyang University, Seoul, 04763, South Korea. [1] Department of Electrical and Computer Engineering and Inter-University Semiconductor Research Center (ISRC), Seoul National University, Seoul, 08826, South Korea. [2]
关键词 NAND flashcrossbar arrayin‐memory computingmemcapacitorternary content addressable memory (TCAM)
DOI 10.1002/smll.202408618
PMID 39907552
发布时间 2025-03-04
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Small (Weinheim an der Bergstrasse, Germany)

Small (Weinheim an der Bergstrasse, Germany)

2025年21卷9期

e2408618页

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