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首页> Scientific reports> Investigating vertical charge plasma tunnel field effect transistors beyond semiclassical assumptions.

Investigating vertical charge plasma tunnel field effect transistors beyond semiclassical assumptions.

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第一作者： Iman Chahardah,Cherik
第一单位： Department of Electrical and Computer Engineering, Semnan University, Semnan, 3513119111, Iran.
作者： Iman Chahardah,Cherik [1] ; Saeed,Mohammadi [2] ; Paul K,Hurley [3] ; Lida,Ansari [4] ; Farzan,Gity [4]
作者单位： Department of Electrical and Computer Engineering, Semnan University, Semnan, 3513119111, Iran. [1] Department of Electrical and Computer Engineering, Semnan University, Semnan, 3513119111, Iran. sd.mohammadi@semnan.ac.ir. [2] MicroNano Systems Centre, Tyndall National Institute, University College Cork, Lee Maltings, Dyke Parade, Cork, T12 R5CP, Ireland.;School of Chemistry, University College Cork, Cork, T12 YN60, Ireland. [3] MicroNano Systems Centre, Tyndall National Institute, University College Cork, Lee Maltings, Dyke Parade, Cork, T12 R5CP, Ireland. [4]
关键词 DopinglessHeterojunctionQuantum confinementTFETTrap-assisted tunneling
DOI 10.1038/s41598-025-88281-0
PMID 39920184
发布时间 2025-02-10
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2025年15卷1期

4682页

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