Nitrogen Doping Strategy in SiO<sub>2</sub> Insulators for Stable and Hydrogen-Resistant ALD-IGZO TFTs.
第一作者:
Tae Heon,Kim
第一单位:
Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University, 222, Wangsimni-ro, Seongdong-gu, Seoul, 04763, Republic of Korea.
作者:
DOI
10.1021/acsami.4c22748
PMID
40111151
发布时间
2025-03-20
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