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首页> ACS nano> Phase-Engineered In<sub>2</sub>Se<sub>3</sub> Ferroelectric P-N Junctions in Phototransistors for Ultra-Low Power and Multiscale Reservoir Computing.

Phase-Engineered In<sub>2</sub>Se<sub>3</sub> Ferroelectric P-N Junctions in Phototransistors for Ultra-Low Power and Multiscale Reservoir Computing.

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第一作者： Jing,Li
第一单位： Key Laboratory of Optoelectronics Technology of Education, School of Information Science and Technology, Beijing University of Technology, Beijing 100124, China.
作者： Jing,Li [1] ; Xiaoting,Wang [1] ; Yang,Ma [1] ; Wei,Han [2] ; Kexin,Li [1] ; Jingtao,Li [1] ; Yi,Wu [1] ; Yuehui,Zhao [1] ; Tao,Yan [1] ; Xiu,Liu [1] ; Haolin,Shi [1] ; Xiaoqing,Chen [1] ; Yongzhe,Zhang [1]
作者单位： Key Laboratory of Optoelectronics Technology of Education, School of Information Science and Technology, Beijing University of Technology, Beijing 100124, China. [1] Key Laboratory of Intelligent Sensing System and Security of the Ministry of Education, Hubei Key Laboratory of Micro-Nanoelectronic Materials and Devices, School of Microelectronics, Hubei University, Wuhan 430062, China. [2]
关键词 chemical vapor depositionferroelectric p?n junctionmultiscale signal processingoptoelectronic synapseultralow power
DOI 10.1021/acsnano.5c00250
PMID 40137054
发布时间 2025-04-08
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ACS nano

ACS nano

2025年19卷13期

13220-13229页

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