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首页> Materials (Basel, Switzerland)> First-Principles Calculations of Hydrogen Solution and Diffusion in 3C-SiC Grain Boundaries.

First-Principles Calculations of Hydrogen Solution and Diffusion in 3C-SiC Grain Boundaries.

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第一作者： Yanan,Cui
第一单位： Zhengzhou Key Laboratory of Low-Dimensional Quantum Materials and Devices, College of Physics and Optoelectronic Engineering, Zhongyuan University of Technology, Zhengzhou 450007, China.
作者： Yanan,Cui [1] ; Jingjing,Sun [1] ; Meng,Li [1] ; Bingsheng,Li [2]
作者单位： Zhengzhou Key Laboratory of Low-Dimensional Quantum Materials and Devices, College of Physics and Optoelectronic Engineering, Zhongyuan University of Technology, Zhengzhou 450007, China. [1] State Key Laboratory of Environmental Friendly Energy Materials, Southwest University of Science and Technology, Mianyang 621010, China. [2]
关键词 3C-SiCdiffusiongrain boundarieshydrogen
DOI 10.3390/ma18092118
PMID 40363621
发布时间 2025-05-14
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Materials (Basel, Switzerland)

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2025年18卷9期

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