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首页> Small (Weinheim an der Bergstrasse, Germany)> Optimized Rear-Interface Passivation of SnS Thin-Film Solar Cells Using a Controlled Germanium Oxide Interlayer for Enhanced Photovoltaic Performance.

Optimized Rear-Interface Passivation of SnS Thin-Film Solar Cells Using a Controlled Germanium Oxide Interlayer for Enhanced Photovoltaic Performance.

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第一作者： Rahul K,Yadav
第一单位： Department of Materials Science and Engineering, and Optoelectronics Convergence Research Center, Chonnam National University, Gwangju, 61186, Republic of Korea.
作者： Rahul K,Yadav [1] ; Vishesh,Manjunath [1] ; Yong Tae,Kim [1] ; Girish U,Kamble [1] ; Wookyung,Jeon [2] ; Parag R,Patil [1] ; Neha,Bisht [1] ; Jin Hyeok,Kim [1] ; Yohan,Yoon [2] ; Jaeyeong,Heo [1]
作者单位： Department of Materials Science and Engineering, and Optoelectronics Convergence Research Center, Chonnam National University, Gwangju, 61186, Republic of Korea. [1] Department of Materials Engineering, Korea Aerospace University, Goyang, 10540, Republic of Korea. [2]
关键词 DLTSMoS2 layer formationNa diffusiongermanium oxide (GeOx)rear interface passivationtin sulfide (SnS)
DOI 10.1002/smll.202507626
PMID 40970559
发布时间 2025-12-25
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Small (Weinheim an der Bergstrasse, Germany)

Small (Weinheim an der Bergstrasse, Germany)

2025年21卷51期

e07626页

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