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首页> Nano letters> Polarization-Controlled Structural Modulation in the Single Atomic Layer at the PbZr<sub>0.2</sub>Ti<sub>0.8</sub>O<sub>3</sub>/LaNiO<sub>3</sub> Interface.

Polarization-Controlled Structural Modulation in the Single Atomic Layer at the PbZr<sub>0.2</sub>Ti<sub>0.8</sub>O<sub>3</sub>/LaNiO<sub>3</sub> Interface.

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第一作者： Soo-Yoon,Hwang
第一单位： Condensed Matter Physics and Materials Sciences Department, Brookhaven National Laboratory, Upton, New York 11973, United States.;Department of Materials Science and Engineering, Pohang University of Science and Technology, Pohang, Gyeongsangbuk-do 37673, Republic of Korea.
作者： Soo-Yoon,Hwang [1] ; Sangjae,Lee [2] ; Ankit S,Disa [2] ; Cristina,Visani [2] ; Si-Young,Choi [3] ; Frederick J,Walker [2] ; Charles H,Ahn [2] ; Yimei,Zhu [4] ; Myung-Geun,Han [4]
作者单位： Condensed Matter Physics and Materials Sciences Department, Brookhaven National Laboratory, Upton, New York 11973, United States.;Department of Materials Science and Engineering, Pohang University of Science and Technology, Pohang, Gyeongsangbuk-do 37673, Republic of Korea. [1] Department of Applied Physics, Yale University, New Haven, Connecticut 06520, United States. [2] Department of Materials Science and Engineering, Pohang University of Science and Technology, Pohang, Gyeongsangbuk-do 37673, Republic of Korea. [3] Condensed Matter Physics and Materials Sciences Department, Brookhaven National Laboratory, Upton, New York 11973, United States. [4]
关键词 LaNiO3conductivityferroelectric field-effect transistorsinterface engineeringstructural modulation
DOI 10.1021/acs.nanolett.5c01956
PMID 41052056
发布时间 2025-10-15
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Nano letters

Nano letters

2025年25卷41期

14776-14783页

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