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首页> Scientific reports> Unraveling the relative impact of material and optical stochastic effects on EUV LWR.

Unraveling the relative impact of material and optical stochastic effects on EUV LWR.

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第一作者： Ji Young,Park
第一单位： Semiconductor R&D Center, Samsung Electronics Co., Ltd, Hwaseong-si, Gyeonggi-do, 18448, Republic of Korea. jy.qc37.park@samsung.com.
作者： Ji Young,Park [1] ; Yongbeom,Seo [2] ; Dong-Hun,Shin [2] ; Hyunwoo,Chae [2] ; Yunsu,Jang [2] ; Won-Joon,Son [2] ; Seungmin,Lee [2] ; Heeyoung,Go [2] ; ChangMin,Park [2] ; Dae Sin,Kim [2] ; Myung Mo,Sung [3] ; Chawon,Koh [4]
作者单位： Semiconductor R&D Center, Samsung Electronics Co., Ltd, Hwaseong-si, Gyeonggi-do, 18448, Republic of Korea. jy.qc37.park@samsung.com. [1] Semiconductor R&D Center, Samsung Electronics Co., Ltd, Hwaseong-si, Gyeonggi-do, 18448, Republic of Korea. [2] Department of Chemistry, Hanyang University, Seoul, 04763, Republic of Korea. [3] Department of Chemistry, Hanyang University, Seoul, 04763, Republic of Korea. chawon.koh@yonsei.ac.kr.;Department of Material Science & Engineering, Yonsei University, Seoul, 03722, Republic of Korea. chawon.koh@yonsei.ac.kr. [4]
关键词 Extreme ultraviolet lithographyLine-width roughnessPhoton-shot noisePhotoresistStochastic effect
DOI 10.1038/s41598-025-29021-2
PMID 41365956
发布时间 2025-12-13
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2025年15卷1期

43476页

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