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首页> ACS applied materials & interfaces> Locking Tetrahedral Ge Coordination Enables Stable Multilevel Phase-Change Memory.

Locking Tetrahedral Ge Coordination Enables Stable Multilevel Phase-Change Memory.

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第一作者： Ruirui,Liu
第一单位： School of Materials Science and Engineering, Shanghai Institute of Technology, Shanghai 201418, China.
作者： Ruirui,Liu [1] ; Liu,Liu [1] ; Yukun,Chen [1] ; He,Zhang [1] ; Ke,Liu [1] ; Dexu,Feng [1] ; Jiwei,Zhai [2] ; Xiao,Zhou [3] ; Sannian,Song [4] ; Zhitang,Song [4]
作者单位： School of Materials Science and Engineering, Shanghai Institute of Technology, Shanghai 201418, China. [1] Shanghai Key Laboratory for R&D and Application of Metallic Functional Materials, School of Materials Science & Engineering, Tongji University, Shanghai 201804, China. [2] State Key Lab of Metal Matrix Composites, School of Materials Science and Engineering, Shanghai Jiao Tong University, Shanghai 200240, China. [3] State Key Laboratory of Materials for Integrated Circuits Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China. [4]
关键词 Ge buffered layermultilevel storagesequential crystallizationsuperlattice-like structuretetrahedral Ge coordination
DOI 10.1021/acsami.5c18011
PMID 41527344
发布时间 2026-01-29
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ACS applied materials & interfaces

ACS applied materials & interfaces

2026年18卷3期

5435-5442页

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