换一批利用背面曝光技术制造大高宽比SU8结构的一种新方法
A New Method for Fabrication of SU8 Structures with a High Aspect Ratio Using a Mask-Back Exposure Technique
摘要提出了一种解决大高宽比SU8结构的新方法.该方法是将SU8胶涂在一块掩模上,紫外光从掩模的背面照射,这样SU8胶的曝光将从底部开始,不需要进行过曝光来保证底部胶的曝光剂量,从而很容易控制曝光剂量和SU8胶结构的内应力.实验结果表明,该方法能够得到高宽比为32的SU8结构,而文献报道的SU8胶结构的高宽比最大仅为18.
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分类号
TN405
栏目名称
DOI
10.3969/j.issn.1674-4926.2004.01.005
发布时间
2004-02-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
基金项目
国家高技术研究发展计划（863计划）（2002AA404150）
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