换一批摘要为了提高VCSEL的光电性能，设计了一种内腔接触式VCSEL结构器件。本文采用Crosslight PICS3D分析软件，分别对相同外延生长情况下的980nm VCSEL传统结构和内腔接触式结构的光电性能进行模拟。经模拟得到，传统结构器件的阈值电流为8.76mA，内腔接触式结构的阈值电流为6.23mA，低于传统结构；当器件的注入电流均为25mA、在阈值电流三倍附近时，传统结构器件的输出功率为5.6mW，内腔接触式结构器件为7mW，器件输出功率和转换效率得到提高，光电性能得到改善，且稳定工作。
更多相关知识
关键词
垂直腔面发射激光器内腔接触式阈值电流输出功率vertical cavity surface emitting lasersintra-contactthreshold currentoutput power
分类号
TN248.4
DOI
10.3969/j.issn.1672-9870.2013.05.019
发布时间
2013-11-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
基金项目
吉林省科技发展计划（20080331-2）
- 浏览0
- 被引2
- 下载0
相似文献
- 中文期刊
- 外文期刊
- 学位论文
- 会议论文
