换一批电针通过促进突触再生改善脑缺血再灌注损伤大鼠的学习记忆功能
Electroacupuncture improves learning and memory function and promotes hippocampal synaptic regeneration in rats with cerebral ischemia-reperfusion injury
摘要目的 探讨电针百会、神庭对脑缺血再灌注损伤大鼠的神经保护作用机制.方法 将雄性SD大鼠48只随机分为假手术组、模型组、电针组和非穴组,12只/组.采用Longa法制备局灶性缺血损伤大鼠模型.电针干预大鼠百会、神庭穴7d.观察大鼠神经功能缺损评分、脑梗死体积变化、学习记忆功能、海马CA1区病理变化、神经元及突触超微结构,并计数突触密度、血清血清γ-氨基丁酸(GABA)、海马组织中GABAARα1、钙调蛋白依赖性蛋白激酶Ⅱ(CaMKⅡ)、突触素1(SYN1)和突触后致密蛋白-95(PSD-95)蛋白及mRNA表达情况、SYN1和PSD-95表达水平.结果 与模型组比较,电针组大鼠神经功能缺损评分降低(1.75±0.45 vs 1.50±0.67,P＜0.05);脑梗死体积降低(11.25±6.22 vs 3.51±2.21,P＜0.05);逃避潜伏期降低下降(62.65±5.12 vs 51.83±6.19,P＜0.05)及穿越平台次数增加(1.17±0.75vs3.17±0.75,P＜0.05);缺血侧海马CA1区神经细胞数量增加;突触间隙宽度相对变小,突触小体相对增加(2.00±0.11 vs4.00±0.25,P＜0.05);血清中GABA含量上升(3.90±0.75 vs 5.54±0.35,P＜0.05);海马组织中GABAARα1、SYN1和PSD-95 mRNA表达水平升高(P＜0.05);CaMKⅡ mRNA表达水平下降(P＜0.05).结论 电针百会、神庭可改善脑缺血再灌注损伤大鼠学习记忆功能,其机制可能通过促进突触再生,上调GABAARα1、SYN 1和PSD-95表达,下调CaMKⅡ表达有关.
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关键词
脑中动脉缺血再灌注损伤电针学习记忆功能突触再生突触可塑性cerebral ischemia-reperfusion injuryelectroacupuncturelearning and memory functionsynaptic regenerationsynaptic plasticity
栏目名称
DOI
10.12122/j.issn.1673-4254.2024.12.07
发布时间
2025-01-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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