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    首页 > 国外电子元器件 > 0.5 μm CMOS带隙基准电路设计

    0.5 μm CMOS带隙基准电路设计

    Design of bandgap reference circuit with 0.5μm CMOS process

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    摘要依据带隙基准原理,采用华润上华(CSMC)0.5 μm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺,设计了一种用于总线低电压差分信号(Bus Low Voltage Differential Signal,简称BLVDS)的总线收发器带隙基准电路.该电路有较低的温度系数和较高的电源抑制比.Hspice仿真结果表明,在电源电压VDD=3.3 V,温度T=25℃时,输出基准电压Vrd=1.25 V.在温度范围为-45℃～+85℃时,输出电压的温度系数为20 pm/℃,电源电压的抑制比δ(PSRR)=-58.3 dB.

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    作者 张明英 [1] 朱刘松 [2] 邢立冬 [3] 学术成果认领
    作者单位 西安外事学院,信息工程学院,陕西,西安,710061 [1] 中国人民解放军第323医院,信息科,陕西,西安,710054 [2] 西安邮电学院,计算机科学与技术系,陕西,西安,710061 [3]
    关键词 模拟电路电源温度/带隙基准抑制比CMOS工艺
    分类号 TN79
    栏目名称 新特器件应用
    发布时间 2009-02-06
    • 浏览0
    • 被引3
    • 下载0
    国外电子元器件

    国外电子元器件

    2008年16卷12期

    79-81页

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