换一批
换一批RF磁控溅射沉积压强对InGaZnO4薄膜特性的影响
Influence of deposition pressure on optical and electrical properties of IGZO films fabricated by radio frequency magnetron sputtering
摘要采用射频(RF)磁控溅射沉积方法,在室温不同压强下在石英玻璃衬底上制备出高透光率与较好电学性质的透明氧化物半导体InGaZnO4(IGZO)薄膜,并对薄膜进行X线衍射(XRD)、生长速率、电阻率和透光率的测试与表征.结果表明,实验所获样品IGZO薄膜为非晶态,薄膜最小电阻率为1.3×10-3Ω·cm,根据光学性能测试结果,IGZO薄膜在200～350 nm的紫外光区有较强吸收,在400～900 nm的可见光波段的透过率为75％～97％.
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分类号
TB32
栏目名称
研究报告
DOI
10.3969/j.issn.1000-1565.2015.03.004
发布时间
2015-07-06
基金项目
国家自然科学基金资助项目
河北省自然科学基金资助项目
河北省高等学校科学研究项目
河北大学人才引进基金资助项目
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