换一批
换一批摘要以高纯Sn丝为蒸发源,采用真空热蒸发法在石英衬底上沉积了厚度为205 nm的金属Sn薄膜.随后,在高纯氧氛围中于200～500℃条件下进行氧化处理.利用X线衍射仪、拉曼光谱仪、分光光度计和数字源表测量了不同氧化温度下样品的结构、光学、电学特性.结构测量表明,不同氧化温度会产生不同结晶状态的氧化产物,提高氧化温度可得到单一、稳定的四方晶系SnO2.光学测量结果证实,随氧化温度的升高,薄膜样品的光学带隙增大,电流-电压测试表明薄膜电阻率随氧化温度的升高而降低.
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分类号
TG156.21
栏目名称
物理科学
DOI
10.3969/j.issn.1000-1565.2017.02.003
发布时间
2017-05-16
基金项目
国家自然科学基金青年基金资助项目
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