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首页 > 河南大学学报(自然科学版) > 半导体中拟中性漂移扩散模型的适定性

半导体中拟中性漂移扩散模型的适定性

Wellposedness of Quasineutral Drift Diffusion Model for Semiconductors

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摘要研究了半导体中拟中性漂移扩散模型的适定性,证明了其局部解和整体解的存在唯一性,并给出了几个稳态奇性解的例子.

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作者 韩小森 [1] 赵彩霞 [2] 高勇 [1] 王术 [1] 学术成果认领
作者单位 河南大学,数学与信息科学学院,河南,开封,475001 [1] 河南医药学校,河南,开封,475001 [2]
关键词 拟中性漂移扩散模型整体存在性唯一性奇解Quasineutral drift diffusion modelglobal existenceuniquenesssingular solutions
分类号 O175.26
栏目名称
数学研究
DOI 10.3969/j.issn.1003-4978.2004.01.002
发布时间 2004-05-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
基金项目
国家自然科学基金（10001034）
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河南大学学报(自然科学版)

河南大学学报(自然科学版)

2004年34卷1期

7-13页

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