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首页 > 吉林大学学报（理学版） > 4He和12C离子Rutherford背散射的Geant4模拟

4He和12C离子Rutherford背散射的Geant4模拟

Geant4-Based Simulation of 4 He and 12C Ions Rutherford Backscattering on Thin Films

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摘要利用Geant4程序模拟270,500 keV 4 He和12C离子垂直入射Au,Ag,Cu薄膜上的Rutherford背散射谱(RBS),并讨论材料、厚度和入射离子能量对背散射谱的影响.结果表明,能量较大的12C离子具有较好的质量分辨率.

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作者 王振超 [1] 马玉刚 [1] 杨海芳 [2] 牛璐莹 [3] 周庆 [1] 赵广义 [1] 宋明珠 [1] 学术成果认领
作者单位 吉林大学物理学院,长春,130012 [1] 唐山市人民医院,河北唐山,063001 [2] 中国科学院等离子体物理研究所,合肥,230031 [3]
关键词 Geant4重离子RBS分析薄膜Geant4heavy-ionRBS analysisthin films
分类号 O571.33
栏目名称
物理
DOI 10.7694/jdxblxb20130433
发布时间 2013-08-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
基金项目
国家自然科学基金（J1103202）
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吉林大学学报（理学版）

吉林大学学报（理学版）

2013年51卷4期

712-714页

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