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ZnO薄膜的射频磁控溅射法制备及特性

Preparation of ZnO thin films by RF magnetron sputtering and their properties

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学术成果认领

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摘要利用射频磁控溅射镀膜工艺,在石英玻璃衬底上成功制备了ZnO薄膜. 采用原子力显微镜、X射线衍射、拉曼光谱、荧光分光光度计及椭偏等检测手段对其特性进行了测试、分析. 研究结果表明:该薄膜具有良好的C轴取向结晶度;最佳激发波长为265.00 nm,光致发光峰分别位于362.00、421.06和486.06 nm;437 cm-1是ZnO晶体的特征拉曼峰,该峰的出现与最强的X射线衍射(002)峰相对应;薄膜折射率为2.01.

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作者刘玉华 ^[1] 孙汪典 ^[1] 学术成果认领

作者单位暨南大学物理学系,广东,广州,510632 ^[1]

关键词 ZnO薄膜射频磁控溅射光致发光折射率

主题词光(Light)发光(Luminescence)膜(Membranes)工艺学(Technology)石英(Quartz)

分类号 O484.4

DOI 10.3969/j.issn.1000-9965.2004.03.009

发布时间 2004-07-22

基金项目

广东省自然科学基金

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2004年25卷3期

289-292页

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