摘要光刻工艺已成为超大规模集成电路的一项重要工艺,而涂胶工艺是光刻工艺中的基础步骤之一,其中高分子材料涂覆结果的优劣,决定了光刻工艺的图形化转移结果的好坏.然而,涂胶显影设备各单元的硬件条件的稳定性和可靠性,很大程度上决定了光刻工艺结果的好坏.因此,为了能实现稳定的光刻工艺技术,涂胶显影设备各单元的硬件必须满足必要的工艺技术条件.文章以光阻在硅晶圆表面涂覆为例,探究了涂胶单元内硬件条件的变化对光阻薄膜厚度的影响,以期为相关人员提供参考.
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