换一批
换一批GEANT4 SPE质子屏蔽和半导体材料辐射效应模拟
GEANT4-Based Simulation on Shielding and Radiation Effects of SPE Protons in Semiconductors
摘要利用蒙特卡罗软件GEANT4模拟太阳宇宙射线中能量为1 MeV～10 GeV质子对航天飞行器的影响,透射质子对半导体材料的损伤效应,计算外壳铝层对质子能谱的屏蔽效应.模拟结果表明,质子在介质中的线性能量转移、射程等和参考数据吻合较好;沿质子轨迹纵向能量沉积出现Bragg峰,且非弹性作用是影响能量沉积Bragg曲线的重要因素;对于半导体Si材料,反冲原子主要分布在质子轨迹线周围,并沿轨迹线横向‘扩散',浓度降低;Al层屏蔽使入射质子能谱硬化,当Al层厚度超过10 mm时,厚度增加对屏蔽效果的改善不明显,反而次级粒子辐射增强效应变大.
更多相关知识
- 浏览0
- 被引6
- 下载0
相似文献
- 中文期刊
- 外文期刊
- 学位论文
- 会议论文
