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双相抑郁患者汉语言障碍的事件相关脑电位N400试验研究

Study on event-related brain potential N400 of Chinese language disorder in patients with bipolar de- pression

摘要目的:探讨双相抑郁、单相抑郁和精神分裂症患者事件相关脑电位N400的差异及其临床实用意义.方法:采用汉语成语正常结尾字(匹配)与汉语成语结尾歧义字(非匹配)模式,对24例双相抑郁患者(双相抑郁组)、25例单相抑郁患者(单相抑郁组)、26例精神分裂症患者(精神分裂组)和28名健康对照者(对照组)作N400检测.结果:与对照组相比,3个患者组服药前N400潜伏期在额区(Fz)明显延迟,同时波幅下降(P<0.05或P<0.01).在Fz脑区中,N400潜伏期延迟与一般状况分呈正相关(r=0.322,P=0.041).N400波幅下降与阳性症状分(r=-0.398,P=0.007)和PANSS总分(r=-0.339,P=0.030)呈负相关.结论:N400可作为鉴别单相抑郁、双相抑郁和精神分裂症的实验室辅助参考手段之一.此结果有待于转化中进一步证实.

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作者 马俊 [1] 王俏 [2] 杜妍妍 [1] 王培源 [1] 周晶 [1] 王存芳 [1] 陈耀 [1] 吴香云 [1] 端文欢 [1] 张侠 [1] 张康华 [1] 陈丽娜 [1] 刘佩姿 [1] 宋时秀 [1] 赵珂 [1] 陈兴时 [3] 学术成果认领
分类号 R749.4
栏目名称 学术交流
DOI 10.3969/j.issn.1005-3220.2023.02.010
发布时间 2023-04-20
基金项目
南京市卫生科技发展项目
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临床精神医学杂志

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