双相抑郁患者汉语言障碍的事件相关脑电位N400试验研究
Study on event-related brain potential N400 of Chinese language disorder in patients with bipolar de- pression
摘要目的:探讨双相抑郁、单相抑郁和精神分裂症患者事件相关脑电位N400的差异及其临床实用意义.方法:采用汉语成语正常结尾字(匹配)与汉语成语结尾歧义字(非匹配)模式,对24例双相抑郁患者(双相抑郁组)、25例单相抑郁患者(单相抑郁组)、26例精神分裂症患者(精神分裂组)和28名健康对照者(对照组)作N400检测.结果:与对照组相比,3个患者组服药前N400潜伏期在额区(Fz)明显延迟,同时波幅下降(P<0.05或P<0.01).在Fz脑区中,N400潜伏期延迟与一般状况分呈正相关(r=0.322,P=0.041).N400波幅下降与阳性症状分(r=-0.398,P=0.007)和PANSS总分(r=-0.339,P=0.030)呈负相关.结论:N400可作为鉴别单相抑郁、双相抑郁和精神分裂症的实验室辅助参考手段之一.此结果有待于转化中进一步证实.
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