基础阻抗、功率对ST-SF与TCQ导管射频消融损伤范围影响

Influence of base impedance and power on lesion dimension during radiofrequency ablation of ST-SF and TCQ catheters

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摘要目的探讨在消融指数(AI)/损伤指数(LSI)的指导下,基础阻抗、功率对SmartTouchTM SurroundFlow(ST-SF)与TactiCathTM Quartz(TCQ)导管射频消融损伤范围的影响.方法使用ST-SF与TCQ导管对新鲜离体猪心进行射频消融.消融参数设置:在AI 400/LSI 5 指导下,固定功率 40W时,设置不同的基础阻抗消融(90Ω亚组、120 Ω亚组、150 Ω亚组、180 Ω亚组、210 Ω亚组);固定基础阻抗120 Ω时,设置不同的功率消融(30 W亚组、40 W亚组、50 W亚组、60 W亚组).消融完成后测量损伤范围,记录接触阻抗、消融时间.结果固定功率40W时,ST-SF导管消融各亚组的消融时间比较,差异无统计学意义(P>0.05).固定功率40W时,TCQ导管消融90Ω亚组、120 Ω亚组、150 Ω亚组消融损伤的最大宽度、最大深度比较,差异均无统计学意义(P>0.05);各亚组消融时间比较,差异均有统计学意义(P<0.05);90 Ω亚组、120 Ω亚组、150 Ω亚组消融损伤的最大宽度、最大深度与 180 Ω亚组、210 Ω比较,差异均有统计学意义(P<0.05).ST-SF导管消融30W亚组、40 W亚组、50 W亚组、60 W亚组消融损伤的最大宽度、最大深度及消融时间比较,差异均有统计学意义(P<0.05).TCQ导管消融30W亚组、40 W亚组、50 W亚组、60 W亚组消融损伤的最大宽度、最大深度及消融时间比较,差异均有统计学意义(P<0.05).结论在AI/LSI指导下,基础阻抗在一定范围内变化,TCQ导管消融损伤范围无明显改变,而ST-SF导管消融损伤范围随基础阻抗的升高而减小.对于两种导管,高功率消融比低功率消融的损伤更宽更浅.