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硫化锑太阳电池的数值模拟分析

Research on Experiment and Simulation of Antimony Sulfide Solar Cell

摘要利用 Afors-het一维器件模拟仿真软件,研究传统 CdS/Sb2S3 异质结太阳电池器件中 Sb2S3吸收层和CdS缓冲层厚度、带隙、吸收层受主浓度以及缺陷对电池性能的影响.结果表明,一定厚度的吸收层可以提高器件的短路电流密度,但过厚的吸收层会减小填充因子.研究 CdS薄膜发现,过厚的 CdS对电池的开路电压,短路电流密度以及填充因子损害较大.Sb2S3 最优的带隙宽度在 1.5~1.6 eV之间.提高 Sb2S3 受主浓度可以有效改善开路电压,但施主缺陷态密度与缺陷态在能级中能量的增加将会使电池效率降低.同时模拟结果表明,当吸收层中载流子寿命达到 10-7 s时,电池的短路电流密度可以得到明显改善.

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