换一批半导体激光根管消毒对根管壁形态及表面温度的影响
EFFECT OF SEMICONDUCTOR LASER ROOT CANAL DISINFECTION ON MORPHOLOGY AND SURFACE TEMPERATURE OF ROOT CANAL WALL
摘要目的 探讨功率1W和3W的半导体激光根管内照射对根管壁形态的影响,同时观测不同剂量不同时间激光照射根管时根管壁外表面温度的变化.方法 选取30颗根尖发育完成的成人单根管新鲜离体牙,随机分为5组,每组6颗牙.空白对照组:仅进行机械根管预备;实验1组:机械根管预备+1W激光照射10 s;实验2组:机械根管预备+1W激光照射20 s;实验3组:机械根管预备+3 W激光照射10 s;实验4组:机械根管预备+3W激光照射20 s.激光照射各组每次激光照射时间为5 s,每次照射完成后间隔5 s,然后按时间要求重复照射.5组均采用扫描电镜观察根管壁表面形态变化,实验组用红外线成像仪跟踪监测从激光照射前到激光照射完成过程中根管壁外表面温度变化.结果 与空白对照组比较,结合半导体激光照射可有效去除牙本质表面的玷污层,封闭牙本质小管口,实验2组效果最理想,与实验1、2组比较,实验3、4组的根管内壁可见裂纹.实验1、2、3组激光照射前后根管壁外表面的温度变化均低于引起牙根及其周围组织损伤的10℃的阈值,而实验4组的温度变化高于此阈值.结论 常规根管预备结合半导体激光1W照射20 s既可得到良好的根管壁形态,又不会造成牙根和根周组织的损害.
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