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首页 > 人工晶体学报 > 助熔剂法生长ZnO晶体

助熔剂法生长ZnO晶体

Crystal Growth of ZnO by Flux Method

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摘要采用Bi4B2O9、CdB2O4和BaB2O4为助熔剂,获得了毫米级的氧化锌单晶.Muiliken的电负性理论和Viting的平均轨道电负性提供了一个选择晶体生长所采用的助熔剂的有效方法.实验结果表明ZnO晶体的生长温度比文献报道的均低,从而有效地减少了ZnO以及助熔剂的挥发.本文给出了几种有望获得大尺寸ZnO单晶的助熔剂.

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作者 张帆 [1] 沈德忠 [2] 沈光球 [1] 王晓青 [1] 学术成果认领
作者单位 清华大学化学系,北京,100084 [1] 清华大学化学系,北京,100084;人工晶体研究院,北京,100018 [2]
关键词 晶体生长助熔剂法氧化锌crystal growthflux methodZnO
分类号 R078
发布时间 2008-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
基金项目
江苏省自然科学基金（50590402）
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人工晶体学报

人工晶体学报

2008年37卷3期

551-556页

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