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低能钒离子注入花生种子的深度分布

Penetration Depth of Implanted V+ with Low Energy in Peanut Embryo

摘要采用卢瑟福背散射(RBS)和X射线能谱分析法(EDAX)对V元素在花生种子中的深度分布进行了测量,并用扫描电镜对注入前后花生种胚的形貌变化进行观察.结果表明,由于样品表面较粗糙以及其特殊结构,RBS方法不适于测量钒在花生种胚中的深度分布,trjm95也不适合于时注入钒离子在花生种子中的深度进行模拟,而EDAX的测量结果表明V离子的穿透深度可达到15μm.另外,注入前后花生种胚的形貌发生了显著变化.

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DOI 10.3321/j.issn:1000-6737.2001.02.020
发布时间 2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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生物物理学报

生物物理学报

2001年17卷2期

351-355页

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