换一批低温等离子体调节H3K4me2刺激灵芝生长和灵芝酸积累
Nanosecond pulsed surface dielectric barrier discharge plasma stimulates the growth of Ganoderma lucidum and the accumulation of ganoderic acids by regulating H3K4me2
摘要研究从表观遗传学角度探讨纳秒脉冲介质阻挡放电等离子体(NS-DBD)刺激灵芝生长和灵芝酸生物合成机制.通过高效液相色谱法检测发现,NS-DBD可以促进灵芝酸的生物合成.生化指标检测发现,NS-DBD诱导了灵芝胞内活性氧的积累,使总超氧化物歧化酶、过氧化氢酶、谷胱甘肽还原酶等抗氧化酶的活性升高.同时伴有灵芝酸生物合成相关基因转录水平的上调.免疫荧光和染色质免疫沉淀测序方法证实,NS-DBD处理后,灵芝酸合成通路上的基因hmgr、pmvk、mvd、sqs和ls的H3K4me2修饰水平都发生了显著变化.其中,基因hmgr、pmvk、mvd和ls的H3K4me2修饰主要分布于基因的外显子区域,而基因sqs的H3K4me2修饰则分布于上游2 kb和外显子区域.研究表明,NS-DBD通过刺激ROS积累调节灵芝酸合成通路上一些关键基因的H3K4me2修饰水平,进而调节灵芝的生长和灵芝酸的合成.
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关键词
低温等离子体介质阻挡放电(DBD)灵芝灵芝酸刺激效应H3K4me2low-temperature plasmadielectric barrier discharge(DBD)Ganoderma lucidumganoderic acidsstimulation effectH3K4me2
分类号
Q689（物理因素对生物的作用）
栏目名称
DOI
10.3969/j.issn.2095-1736.2025.03.001
发布时间
2025-07-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
基金项目
国家自然科学基金（11635013）
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