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纳米SiO2对霍山石斛生长的影响

Effects of Nano-SiO2 on the Growth of Dendrobium huoshanense

摘要为了解纳米材料对植物生长的影响,以霍山石斛为材料,将不同浓度的纳米SiO2加入培养基中,研究纳米SiO2对霍山石斛生长的形态特征、抗氧化酶活性、叶绿素含量的影响,以期为霍山石斛的人工栽培及野生资源保护提供一定的参考.结果表明,随着纳米SiO2添加比例的增加,长势呈现逐渐减缓的趋势;抗氧化酶活性在低浓度纳米SiO2处理中有所提升,在高浓度中出现下降;叶绿素含量在低浓度纳米SiO2处理中下降比高浓度处理显著.由此可见,添加纳米SiO2对霍山石斛的生长构成了逆境胁迫,但在生长期内没有显著影响其正常生长.

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DOI 10.3969/j.issn.1673-2006.2021.12.008
发布时间 2022-04-14(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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