换一批纳米二氧化硅对HaCaT细胞中p53基因表达及其启动子甲基化的影响
Effect of silicon dioxide nanoparticles on expression and DNA methylation of p53 gene in HaCaT cells
摘要目的 研究纳米二氧化硅(nm-SiO2)对人皮肤表皮细胞(HaCaT)中p53基因的表达及基因启动子区甲基化的影响.方法 分别以2.5、5、10 μg/ml的nm-SiO2溶液和10 μg/ml的微米级SiO2(micro-SiO2)处理HaCaT 24 h;以3μmol/L DNA甲基化转移酶抑制剂5-脱氧杂氮胞苷(DAC)处理48 h的10 tμg/ml nm-SiO2组为阳性对照,并设立溶剂对照组.应用荧光定量PCR检测p53基因mRNA水平的表达,Western-blot法检测其蛋白水平的变化,应用甲基化特异性PCR(MSP)检测p53基因启动子区CpG岛的甲基化状态.结果 nm-SiO2作用24 h后,HaCaT细胞中p53基因表达呈上调趋势并且p53启动子区未检测出甲基化状态.结论 nm-SiO2暴露可以上调HaCaT细胞中p53基因的表达,尚未发现这种上调与p53基因启动子区CpG岛的甲基化水平改变有关.
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